Wzmacniacz różnicowy druk
powrót


0. Wprowadzenie
1. Podstawowy układ wzmacniacza różnicowego zbudowanego na tranzystorach bipolarnych: budowa
2. Zasada działania, charakterystyka przejściowa i robocza wzmacniacza różnicowego.
3. Uproszczony schemat zastępczy wzmacniacza różnicowego i analiza małosygnałowa WR.
4. Wzmacniacz różnicowy o regulowanym wzmocnieniu.
5. Wejściowe napięcie nie zrównoważenia i sposoby jego kompensacji.
6. Wpływ wielkości prądu źródła, rezystancji wyjściowej tego źródła i rezystancji obciążenia na parametry wzmacniacza różnicowego.
7. Zastosowanie wzmacniaczy różnicowych.

Literatura

1. Barbara Pióro, Marek Pióro "Podstawy elektroniki"
2. Leszek Grabowski "Pracownia elektroniczna - układy elektroniczne"
3. Augustyn Chwaleba, Bogdan Moeschke, Grzegorz Płoszajski "Elektronika"



Wprowadzenie
 

Wzmacniacze prądu stałego są układami dolnoprzepustowymi, które służą do wzmacniania sygnałów w określonym paśmie częstotliwości w tym również sygnałów wielozmiennych i stałych. Wzmacniacz prądu stałego powinien wzmacniać tylko sygnał użyteczny zaś tłumić sygnały szkodliwe. Bardzo ważne jest więc zapewnienie stałości warunków pracy i zmniejszenie do minimum sygnałów szkodliwych.   

    Identyczność elementów i warunków ich pracy łatwo jest spełnić w układach scalonych. Elementy scalone wykonane w jednej płytce półprzewodnikowej, w jednym procesie technologicznym, umieszczone w pobliżu siebie odznaczają się dobrą powtarzalnością parametrów i dobrym sprzężeniem termicznym, więc zmiany temperaturowe ich parametrów kompensują się i nie mają wpływu na właściwości wzmacniacza. Od wzmacniaczy prądu stałego wymaga się również by na zaciskach wejściowych i wyjściowych przy braku pobudzenia napięcie stałe względem masy było równe zero.

 



Podstawowy układ wzmacniacza różnicowego zbudowanego na tranzystorach bipolarnych: budowa

Rys. 1. a) Wzmacniacz różnicowy -  schemat zasadniczy.

    Wzmacniacz różnicowy jest układem dwuwejściowym zbudowanym z dwóch tranzystorów pracujących w układzie OE mających wspólny obwód emiterowy (w najprostszym przypadku rezystor RE). We wzmacniaczach różnicowych stosowane są tranzystory NPN lub PNP. Powinny mieć one jednakowe parametry, celem zapewnienia symetrii charakterystyk w zakresie liniowym ( osiągane w układach scalonych) i duże wzmocnienie prądowe. Suma prądów płynących przez oba tranzystory jest równa prądowi źródła:

IC1 + IC2 = I0

    Źródło powinno charakteryzować się dużą rezystancją wewnętrzną dynamiczną, dzięki czemu maleją wejściowe prądy polaryzacji( średnia prądów wejściowych I = (Iwe1 + Iwe2)/2  ) oraz prądy niezrównoważenia .

 



Zasada działania, charakterystyka przejściowa i robocza wzmacniacza różnicowego
 
Zadaniem wzmacniacza różnicowego (rys.1) jest wytworzenie na wyjściu napięcia (napięciem wyjściowym może być UC1, UC2 lub ich różnica), którego wartość jest proporcjonalna do różnicy napięć między jego wejściami ( UB1 – UB2).

UB1 – napięcie bazy tranzystora T1

UB2 – napięcie bazy tranzystora T2

     Wzmacniacz różnicowy może być sterowany z dwóch źródeł, które dołącza się do baz obu tranzystorów – sterowanie symetryczne albo z jednego źródła sterowanie asymetryczne. W tym przypadku źródło sygnału dołącza się do bazy jednego z tranzystorów a bazę drugiego zwiera się do masy. Wyjście układu może być symetryczne z kolektorów obu tranzystorów, albo asymetryczne między kolektorem jednego z tranzystorów a masą.
Układ umożliwia więc asymetryczne lub symetryczne WE i WY w dowolnych kombinacjach. Przy stosowaniu każdej z tych kombinacji uzyskuje się różne parametry.

    We wzmacniaczu różnicowym oba tranzystory pracują w stanie aktywnym. Jego zasada działania jest następująca. Zakładamy, że napięcie UB2 tranzystora T2 nie ulega zmianie (np. jest równe zeru). Sygnał wejściowy jest podawany na bazę tranzystora T1. Wzrost napięcia Ub1 powoduje wzrost napięcia Ue1 a tym samym zmniejszenie napięcia Ube2 Skutkiem tego następuje zmniejszenie prądu ie2 i prądu ic2 tranzystora T 2 oraz zwiększenie prądu iel i prądu icl tranzystora T l. W wyniku tego zmniejsza się napięcie uc1 tranzystora T1. Zatem napięcie uc1 jest odwrócone w fazie względem napięcia wejściowego Ubl.
Zmniejszenie wartości prądu płynącego przez kolektor tranzystora T2 (i0 = icl + ic2), powoduje z kolei wzrost napięcia uc2 na kolektorze tego tranzystora. Napięcie uc2 jest zgodne w fazie z napięciem wejściowym ub2.

Tabela.1. Zmiany wartości prądów tranzystorów wzmacniacza różnicowego w zależności od wartości napięcia wejściowego (zakres liniowy).


Rys. 1 b) Zależność prądu kolektorów od napięcia wejściowego.

Rys. 1 c) Zależność napięcia kolektorów od napięcia wejściowego, przy zwartej bazie Tranzystora T2 do masy.

   Usat – napięcie wejściowe w układzie ze źródłem prądowym przy którym tranzystor T1 wchodzi w stan nasycenia.

UsatR – napięcie wejściowe z rezystorem, przy którym tranzystor T1 wchodzi w stan nasycenia. 

Zmiany wartości prądów Icl, Ic2 w funkcji napięcia wejściowego zilustrowano na Rys.3.  W tabeli 1 zestawiono przykładowe wartości prądów ICl oraz IC2 w zależności od różnicy napięć wejściowych, przy założeniu że I0 = 2 mA.
Przyjmuje się, że wzmacniacz różnicowy pracuje w zakresie liniowym, jeżeli  zmiany napięcia wejściowego nie przekraczają wartości ± 2 UT ( ±50 mV).
Z powyższego rysunku i tabeli wynika, że oba tranzystory pracują wstanie aktywnym tylko przy niewielkiej wartości różnicy napięć wejściowych

Gdy różnica ta jest większa, wówczas prąd źródła płynie praktycznie tylko przez jeden z tranzystorów.
Sprawdźmy, co będzie się działo w układzie, gdy

Przyjmijmy niewielką ujemną wartość napięcia UB1, równą - 2 V i UB2 = 0 V. Tranzystor T 1 jest zatkany, nie płynie przez niego prąd. Zatem kolektor tranzystora T 1 jest dołączony do źródła napięcia zasilania przez rezystor RC . Napięcie :

UC1 =  UCC

W związku z tym przez tranzystor T 2 płynie cały prąd źródła - tranzystor tej pracuje w stanie aktywnym. Napięcie

UC2 = UCC – I0RC

Taka sytuacja utrzymuje się dopóty, dopóki napięcie UBl nie osiągnie wartości -130 mV (patrz tab.1). Wówczas tranzystor T 1  zaczyna pracować aktywnie i płynie przez niego prąd IC1. W tym czasie przez tranzystor T 2 płynie prąd (mniejszy od prądu źródła)

IC2 = I0 – IC1 

Napięcia kolektorów tranzystorów wynoszą odpowiednio 

UCl = UCC - IC1 RC

UCl = UCC – ICC RC

Prąd płynie przez oba tranzystory do chwili, gdy różnica napięć wejściowych UBl - UBl osiągnie wartość +130mV. Po jej przekroczeniu tranzystor Tl jest zatkany i całkowity prąd (źródła) płynie przez tranzystor T 1. Napięcia kolektorów obu tranzystorów  wynoszą odpowiednio :

UC2 = UCC

UCl = UCC – I0 RC

Dalszy wzrost napięcia UBl i różnicy napięć wejściowych powoduje zmianę wartości napięcia UCEl (maleje). Natomiast wartości napięć UCl i UC2 niech będą ulegały zmianie, ponieważ tranzystor T 1 pracuje aktywnie i płynie przez niego prąd źródła. Napięcie UCE1 będzie malało dopóty, dopóki tranzystor T 1 nie wejdzie w stan nasycenia. Nastąpi to wówczas, gdy napięcie:

UBl = Usat = UCC – I0 RC + UBCP  

Dalszy wzrost napięcia UB1 powoduje liniowy wzrost napięcia UC1, ponieważ złącze kolektor-baza reprezentuje sobą źródło napięciowe o wartości UBCP , stąd

UC1 = UB1 - UBCP ,

co zilustrowano na Rys.1c) (linia ciągła o nachyleniu 1 V/V). 

Wzrost napięcia UC1 powoduje zmniejszenie prądu płynącego przez kolektor tranzystora T 1 , czyli 

IC1 = (UCCUC1) / RC 

a to z kolei powoduje wzrost prądu wejściowego 

IB1 = I0IC1 

Napięcie UCl narasta liniowo ze wzrostem wartości napięcia UB1 zgodnie z zależnością

UCl = UBl - UBCP 

Zamiast źródła prądowego można zastosować rezystor RE, który jest zasilany ze źródła o ujemnej wartości ( -UCC). W III zakresie pracy wzmacniacza zmienia się charakterystyka przejściowa (Rys.1c) linia przerywana) oraz wartość napięcia Usat. W chwili gdy zatyka się tranzystor T 2, napięcie UCl maleje, zgodnie z poniższą zależnością ponieważ zwiększa  się wartość prądu I0

UC1 = UCC – (UB1 – UBEP – UCC)*(RC/RE)

UBEP – napięcie nasycenia złącza baza emiter.

Maleje ono do chwili nasycenia tranzystora T1 (w tym czasie działanie wzmacniacza różnicowego jest takie samo jak działanie wzmacniacza tranzystorowego tranzystorowego o konfiguracji OE). Nasycenie tranzystora następuje przy mniejszej wartości napięcia wejściowego. Dalszy wzrost napięcia wejściowego powoduje liniowe narastanie napięcia UC1 (tranzystor T1 nasycony tak samo jak przy zastosowaniu źródła prądowego).
    

Uproszczony schemat zastępczy wzmacniacza różnicowego i analiza małosygnałowa WR

    W oparciu o uproszczony małosygnałowy schemat zastępczy WR przedstawiony na rysunku przeprowadzimy analizę małosygnałową WR. W schemacie tym założono nieznaczną asymetrię tranzystorów oraz przyjęto uproszczenia: rbb’ = 0, gce = 0. Ponadto założono, że wzmocnienia prądowe tranzystorów są duże ( b0 >>1).

Rys. 2 Uproszczony schemat zastępczy wzmacniacza różnicowego .

    Wprost ze schematu zastępczego zastępczego możemy wyznaczyć składową zmienną napięcia na rezystancji RI

(1)

Ponieważ:

     

gdzie α -zwarciowe wzmocnienie prądowe w konfiguracji OB 

β - zwarciowe wzmocnienie prądowe w konfiguracji OE, współczynnik sprzężenia zwrotnego

to równanie (1) upraszcza się do postaci:

(2)

    Równania Kirchhoffa dla obwodu wejściowego, po uwzględnieniu zależności (2), mają postać:

(3a)

(3b)

    Z układu równań (3) możemy wyznaczyć napięcie Ub'e1 i Ub'e2 jako funkcje napięć U1 i U2, co pozwala na wyznaczenie napięć wyjściowych

  (4a)

(4b)

(5)

(6)

Przeanalizujmy dwa szczególne przypadki sterowania: różnicowego i sumacyjnego


Rys. 3 Układ zastępczy wzmacniacza różnicowego
a) półobwód dla sygnału różnicowego
b) półobwód dla sygnału sumacyjnego
 

Rys.3.a) Sterowanie różnicowe    

Przy sterowaniu różnicowym napięcie sumacyjne Uis= 0, zaś U1=-U2=Uśr/2.   
    Wzmocnienie różnicowe kur, wyrażające stosunek składowej różnicowej napięcia wyjściowego do wejściowego napięcia różnicowego, wynosi

(7)

    Wzmocnienie kus-r ,wyrażające stosunek składowej sumacyjnej napięcia wyjściowego do wejściowego napięcia różnicowego, wynosi

(8)

    Przy pełnej symetrii układu, gdy gm=gm2=gm , wyrażenia (7) i (8) upraszczają się do bardzo prostych postaci

Przypomne, że 

gdzie - φT=kT/q - potencjał termiczny elektronu

    Wzmocnienie dla wyjść niesymetrycznych, przy sterowaniu różnicowym, są dwukrotnie mniejsze i przy pełnej symetrii układu wynoszą

Rys.3.b) Sterowanie sumacyjne

Przy sterowaniu sumacyjnym U1=U2=Uis  (Uir=0). Wzmocnienie sumacyjne kus, wyrażające stosunek składowej sumacyjnej napięcia wyjściowego do wejściowego napięcia sumacyjnego, określa zależność

(9)

    Wzmocnienie kur-s, wyrażające stosunek składowej różnicowej napięcia wyjściowego do wejściowego napięcia sumacyjnego, wynosi

(10)

    Dla układu symetrycznego zależność (9) i (10) przekształcają się do bardzo prostych postaci

    Miarą stopnia symetrii wzmacniacza różnicowego i jego zdolności do eliminowania składowych sumacyjnych na wyjściu jest tzw. współczynnikiem tłumienia sygnału sumacyjnego (wspólnego) CMRR (ang. Common Mode Rejection Ratio). Współczynnik CMRR definiuje się jako stosunek wzmocnienia sygnałów różnicowych do wzmocnienia sygnałów sumacyjnych
    Dla symetrycznego wyjścia różnicowego

(11)

    Na podstawie wzorów (7), (10) i (11) otrzymujemy

(12)

    Przy pełnej symetrii układu (gm1+ gm2)  CMRR → ∞.
    Dla wyjścia niesymetrycznego

(13)

    Podstawiając (7), (9) do (13) otrzymujemy

(14)

    Przy pełnej symetrii układu wzór (7) upraszcza się do postaci

(15)

    Aby uzyskać dużą wartość CMRR, konieczne jest zachowanie symetrii układu i zasilanie wzmacniacza aktywnym źródłem prądowym o dużej rezystancji dynamicznej. Duża wartość współczynnika CMRR jest potrzebna głównie w celu eliminacji sygnałów zakłócających, które zwykle mają charakter napięć niesymetrycznych względem masy.
    Dalsze parametry wzmacniacza zostaną określone dla układu symetrycznego.
    Różnicowa rezystancja wejściowa jest definiowana jako stosunek małosygnałowego różnicowego napięcia wejściowego do małosygnałowego prądu wejściowego, przy założeniu, że napięcie sumacyjne U1= 0.

    Ze schematu zastępczego na rys.2 otrzymujemy

    Rezystancja wejściowa dla sygnału sumacyjnego

    Na podstawie schematu zastępczego z rys.2 otrzymujemy

    Rezystancja wyjściowa dla każdego z wyjść niesymetrycznych jest praktycznie równa rezystancji RC


Wzmacniacz różnicowy o regulowanym wzmocnieniu
 
    Ten sam układ, a mianowicie tranzystor zastępujący wspólną rezystancję w obwodzie emiterów, można wykorzystać także do innych celów . Gdy do tranzystora T3 nie doprowadzi się stałego napięcia polaryzacji bazy, lecz zmienne, jak na rysunku 4, to można nim regulować prąd emitera T3 i tym samym sumą prądów emiterów TI i T2.

Rys. 4 Wzmacniacz różnicowy o regulowanym wzmocnieniu.

Gdy w doprowadzeniach emiterów tranzystorów  Tl i T2 umieścimy dodatkowo po jednym rezystorze, to uzyskamy jeszcze lepszą symetrię mostka i szerszy zakres wysterowania.

 


Wejściowe napięcie niezrównoważenia
 
    Jest parametrem określającym, jak duża jest niesymetria układu. Jeżeli układ byłby całkowicie symetryczny (idealny) i na oba wejścia zostałoby podane napięcie wspólne (lub np. oba wejścia byłyby zwarte do masy), to na wyjściu symetrycznym napięcie wyniosłoby zero (potencjały kolektorów obu tranzystorów byłyby identyczne). Jednak w rzeczywistym układzie wystąpi niewielkie napięcie wyjściowe. Chcąc doprowadzić do wyrównania potencjałów kolektorów, czyli wyzerowania wzmacniacza, należy podać takie napięcie wejściowe, które wywoła na wyjściu zmianę przeciwną do występującej w wyniku niesymetrii. Wartość napięcia wejściowego które należy podać na wejście wzmacniacza różnicowego, aby napięcie wyjściowe w układzie z wyjściem symetrycznym wyniosło zero, jest nazywane wejściowym napięciem niezrównoważenia.

Uwe n = Uwe1 – Uwe2

Napięcie niezrównoważenia zmienia się pod wpływem zmian temperatury, zmian napięć zasilających i upływu czasu. Wpływ temperatury na sygnały niezrównoważenia ocenia się za pomocą dryfów temperaturowych napięcia  podawanych w ( mV/K ).

 



Wpływ wielkości prądu źródła, rezystancji wyjściowej tego źródła i rezystancji obciążenia na parametry wzmacniacza różnicowego

    Przy budowie wzmacniaczy różnicowych dąży się do uzyskania dużego wzmocnienia różnicowego kur, dużego współczynnika tłumienia sygnału sumacyjnego HS, dużej rezystancji wejściowej oraz małych sygnałów niezrównoważenia i ich dryfów. Z analizy podanych zależności wynika, że poprawa parametrów wzmacniacza wymaga zwiększenia: współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystorów b0 , rezystancji RE i rezystancji RC. Wartość współczynnika b0 można efektywnie zwiększyć stosując zamiast jednego tranzystora kilka tranzystorów w okładzie Darlingtona nazywanym też układem superalfa.
Układ taki może służyć do odejmowania lub wzajemnej kompensacji dwóch napięć.


Rys. 5 a) Schemat układu Darlingtona

    W układzie Darlingtona tranzystory łączy się w taki sposób, że prąd emitera pierwszego tranzystora jest prądem bazy tranzystora drugiego itd. Kolektory wszystkich tranzystorów są ze sobą połączone. Jeżeli współczynnik wzmocnienia prądowego pierwszego tranzystora wynosi b01, b02, to wypadkowy współczynnik wzmocnienia prądowego układu b0 = b0 1b02 .

    Zwiększenie rezystancji RE jest ograniczone możliwościami technologicznymi i warunkami zasilania. Przy dużej wartości RE, aby otrzymać wymaganą wartość prądu JE, należy zwiększyć napięcie EE, gdyż EE » IERE. Z kolei zmniejszenie prądu emitera jest niekorzystne, ponieważ przy małych prądach maleje współczynnik b0. Dlatego zamiast rezystancji RE w obwód emiterów włącza się źródło prądu, charakteryzujące się małą rezystancją statyczną (dla prądu polaryzacji) i bardzo dużą rezystancją dynamiczną (dla sygnału wzmacnianego ). Schemat wzmacniacza różnicowego ze źródłem prądu i tranzystorami w układzie Darlingtona przedstawia  Rys.7 b).



Rys. 5 b) Schemat wzmacniacza różnicowego z układem Darlingtona

    Podobne ograniczenia dotyczą doboru wartości rezystorów RC. Również te rezystory zastępuje się często źródłami prądu -jest to tzw. obciążenie aktywne obwodów kolektorów przedstawia Rys. 7 c).



Rys. 5 c) Schemat wzmacniacza różnicowego z obciążeniem aktywnym

Rezystancję wejściową można także zwiększyć, zastępując tranzystory bipolarne tranzystorami unipolarnymi. Maleją wtedy również wejściowe prądy polaryzacji oraz niezrównoważenia. Wzrasta natomiast wejściowe napięcie niezrównoważenia i jego dryf temperaturowy.  



Zastosowanie wzmacniaczy różnicowych
 
    Wzmacniacze różnicowe stosowane są :
  1. jako stopnie wejściowe wzmacniaczy operacyjnych
  2. jako stopnie pośrednie we wzmacniaczach szeroko pasmowych (wzmacniają sygnały o szerokim widmie częstotliwości)
  3. jako stopnie wejściowe lub pośrednie we wzmacniaczach w pośredniej częstotliwości

    We wzmacniaczach operacyjnych stopniem wejściowym jest wzmacniacz różnicowy zoptymalizowany dla uzyskania minimalnego dryfu, dużej impedancji wejściowej oraz dużego tłumienia sygnałów sumacyjnych CMRR. Dla uzyskania dużego wzmocnienia całego układu, w różnicowym stopniu wejściowym oraz stopniu pośrednim stosuje się obciążenie aktywne. Stopień wyjściowy takiego wzmacniacza jest najczęściej symetrycznym wtórnikiem emiterowym pozwalającym na uzyskanie małej impedancji wejściowej oraz dużej wartości napięcia wyjściowego i prądu obciążenia. O wartości wzmocnienia napięciowego układu oraz o kształcie charakterystyki częstotliwościowej decydują dwa pierwsze stopnie. Jest wiele odmian wzmacniaczy operacyjnych. Przykładowy schemat ideowy wzmacniacza operacyjnego przedstawia rysunek:  

Rys. 6  Schemat ideowy wzmacniacza operacyjnego µA741

    Układ składa się z 3 części:

  1. wejściowego WR (tranzystory T1 - T4) wraz z obciążeniem aktywnym (tranzystory T5 - T7) i źródłem prądu (tranzystory T8 - T11)
  2. stopnia pośredniego (tranzystory T16 - T17) wraz z obciążeniem aktywnym (tranzystory T12 - T13)
  3. oraz stopnia wyjściowego (tranzystory T14 , T20, diody T18 - T19)

Ad.a)
    W wejściowym stopniu różnicowym, tranzystory T1 ,T2 ,T3 ,T4 pracują w połączeniu OC-OB co zapewnia dobre właściwości wielkoczęstotliwościowe. Tranzystor T8 jest źródłem stałoprądowym, a tranzystory T5 i T6 tworzą obciążenie aktywne pary różnicowej. Na bazach tranzystorów T1 i T2 jest zerowy potencjał stały względem masy.

Ad.b)
    W drugim stopniu tranzystor T16 pracuje w konfiguracji OC zapewniając dużą rezystancję wejściową tego stopnia. Stopień ten zapewnia duże wzmocnienie dzięki zastosowaniu wzmocnienia aktywnego w obwodzie kolektora tranzystora T17 a ponadto przesuwa poziom napięcia stałego.

Ad.c)
    stopień wyjściowy z tranzystorami T14 i T20 zapewnia małą rezystancję wyjściową i przepływ stosunkowo dużego prądu obciążenia.

    Wzmacniacze różnicowe stanowią podstawę większości produkowanych obecnie "monolitycznych" wzmacniaczy operacyjnych. Wytwarza się w postaci scalonej również zespoły tranzystorów dostosowane do pracy w układzie różnicowym. Np.: układy scalone RCA: CA 3054 - podwójny wzmacniacz różnicowy ze źródłami prądu i CA 3046 - wzmacniacz różnicowy z trzema niezależnymi tranzystorami. Ich odpowiednikami krajowymi są układy UL 1101N i UL 1111N. Cechą charakterystyczną tych układów jest dość duża częstotliwość graniczna tranzystorów (fT=500MHz) co daje możliwość pracy w szerokim zakresie częstotliwości.

  1. w technice cyfrowej w układach ECL.

   Układy ECL (ze sprzężeniem zwrotnym emiterowym) są najszybszymi układami logicznymi bipolarnymi. Układy należące do rozpowszechnionej serii oznaczonej symbolem 10K mają czas propagacji, czyli czas trwania wszystkich zjawisk zachodzących przy przełączeniu bramki z opóźnieniem włącznie ok. 2ns, należące zaś do szybszej serii 100K mają czas propagacji ok. 0,75 ns. Tak małe czasy propagacji wynikają właśnie z wykorzystania jako podstawowego układy klucza różnicowego pracującego bez nasycenia się tranzystorów oraz zastosowania konstrukcji monolitycznej o zoptymalizowanych parametrach, w tym tranzystorów o bardzo dużej częstotliwości granicznej (to taka wartość częstotliwości sygnału wejściowego dla której wzmocnienie napięciowe wzmacniacza maleje względem wzmocnienia maksymalnego do poziomu 0,707 swej wartości maksymalnej, a wzmocnienie mocy do połowy). Np.: W układach serii 100K pojemności rozproszone są mniejsze niż 0,2pF, a tranzystory mają częstotliwości fT większe niż 5GHz.